六四天安門英雄

2014/02/21-嚴思涵

三星電子(Samsung Electronics)在全球DRAM市場上，20多年來穩坐第一，而未來Mobile DRAM可望超越PC DRAM市場，三星電子的Mobile DRAM市佔率超過50%，也相當具優勢。

全球DRAM市場長久以來競爭激烈，為了不在競爭中落後，需要不間斷的技術研發。三星電子視為次世代成長動能的NAND Flash也領先全球應用了3D垂直結構概念，超越微細製程的瓶頸。

據Newsway報導，三星電子2013年底領先全球成功研發出次世代8Gb LPDDR4 Mobile DRAM，截至目前，一直停留在LPDDR3規格的Mobile DRAM市場，將可望朝向LPDDR4進行世代交替。

三星電子的8Gb LPDDR4 Mobile DRAM是由三星自主研發，並採用固態技術協會(JEDEC)制定為標準的LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic) IO介面技術，可實現3200Mb/s資訊處理速度，較LPDDR3快2倍。此外，該產品也採用1.1V低耗電結構，耗電量降低40%。

目前三星電子以4Gb LPDDR3 Mobile DRAM主導市場，自2013年11月起投入6Gb LPDDR3 Mobile DRAM生產。8Gb LPDDR4 Mobile DRAM將從2015年起正式供貨，未來市場上6Gb以上大容量Mobile DRAM的比重將迅速擴大。

三星電子2013年8月成功研發出3D NAND Flash，並將於2014年投入量產，可望成為三星電子的新獲利來源。V NAND克服了半導體製程微細化的瓶頸，為新概念的3D垂直結構NAND Flash。

3D V NAND也讓業界確保在未來5年內，能推出從目前最大容量128Gb產品發展至1TB以上產品的原創技術。三星電子的3D V NAND同時採用獨家技術3D CTF(3D Charge Trap Flash) Cell結構，以及3D垂直堆疊製程技術。

3D CTF Cell可將電荷儲存在穩定的絕緣體，大幅減少Cell間的干擾作用；此技術能將資料寫入速度提高2倍以上，Cell的使用壽命也依照產品區別，至少可延長2倍以上，最高到10倍。此外，耗電量也減少至一半以下。

3D垂直堆疊製程是可在更小的晶片面積上，實現最高密度的技術。三星研發出層層貫穿後連結電極的蝕刻(Etching)技術、在各層孔洞間製造垂直Cell的閘極圖案(Gate Pattern)技術等創新的製程技術。

外電引用市調機構Gartner資料指出，NAND Flash市場2014年規模約326.6億美元，2015年約354.04億美元、2016年約401.17億美元、2017年約435.68億美元，逐年增加。

以2013年第3季為基準，三星的NAND Flash市佔率為38.4%，排名第一。三星將憑著在傳統NAND Flash的市場領導力，在次世代NAND Flash市場上，也以V NAND鞏固市場第一的地位。

DIGITIMES中文網 原文網址: 三星半導體市佔兩大關鍵　Mobile DRAM和3D V NAND http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?Cnlid=1&cat=40&cat1=30&id=0000368653_QPK7OJVP4HKKG24KGA87D&ct=a#ixzz2uD0Qzihu